Micron có thể tăng gấp đôi công suất HBM vào cuối năm, bám đuổi Samsung và SK Hynix

Micron Technology có kế hoạch tăng mạnh công suất HBM hàng tháng lên khoảng 100.000 tấm wafer vào cuối năm nay, gần gấp đôi so với năm ngoái, nhằm thu hẹp khoảng cách công suất với SK Hynix và Samsung Electronics. Công ty đang đẩy nhanh sản xuất hàng loạt sản phẩm HBM4 12 lớp cho kiến trúc "Vera Rubin" của NVIDIA, dự kiến tỷ trọng công suất sẽ tăng lên 50% vào cuối năm, nỗ lực phá vỡ vị thế tụt hậu với thị phần 18% hiện tại.

Micron Technology đang mở rộng mạnh mẽ năng lực sản xuất bộ nhớ băng thông cao (HBM), nhắm tới thị phần lớn hơn trên thị trường bộ nhớ AI toàn cầu.

Theo Yonhap News ngày 4, dẫn nguồn tin trong ngành, Micron có kế hoạch nâng công suất HBM hàng tháng lên khoảng 100.000 tấm wafer vào cuối năm nay, tăng gần gấp đôi so với năm ngoái, khi đó khoảng cách công suất với Samsung Electronics và SK Hynix dự kiến sẽ thu hẹp xuống còn khoảng một nửa so với hiện tại. Đồng thời, công ty đang đẩy nhanh quá trình tăng sản lượng sản phẩm HBM4 12 lớp thế hệ mới nhất để đáp ứng nhu cầu của bộ tăng tốc AI thế hệ mới của NVIDIA.

Động thái này phản ánh nhu cầu mạnh mẽ liên tục trên thị trường bộ nhớ AI. Các nhà sản xuất chip AI, tiêu biểu là NVIDIA, có nhu cầu rất cao đối với HBM, nguồn cung vẫn chưa theo kịp nhịp độ nhu cầu. Đối với Micron, công ty chỉ chiếm 18% thị phần và đứng thứ ba trong thời gian dài, đợt mở rộng công suất này vừa là trận chiến then chốt để giành vị thế thị trường, vừa là bước đi cần thiết để chuyển hóa lợi ích từ nhu cầu bộ nhớ AI thành doanh thu thực tế.

Mục tiêu công suất: Đạt 100.000 tấm mỗi tháng vào cuối năm

Theo nguồn tin trong ngành tiết lộ với truyền thông, Micron có kế hoạch bổ sung tối đa 60.000 tấm wafer công suất HBM mỗi tháng vào cuối năm nay. Năm ngoái, sản lượng HBM hàng tháng của công ty khoảng 40.000 đến 50.000 tấm, điều này có nghĩa là công suất bổ sung sẽ vượt quá mức cơ sở ban đầu, tổng công suất dự kiến đạt khoảng 100.000 tấm mỗi tháng.

Để đạt được mục tiêu trên, Micron đang tăng đơn đặt hàng với nhiều nhà cung cấp thiết bị sản xuất HBM, các thiết bị liên quan liên tục được chuyển đến các nhà máy tại Đài Loan và Singapore. Hiện tại, hoạt động đóng gói HBM của Micron chủ yếu được tiến hành tại nhà máy Tongluo ở Đài Loan và nhà máy Woodlands ở Singapore, việc đầu tư thiết bị cho nhà máy Hiroshima ở Nhật Bản cũng đang được chuẩn bị.

Về cơ cấu sản phẩm, Micron đang nhanh chóng chuyển dịch sang HBM4 12 lớp. Hiện tại, sản lượng HBM của công ty vẫn chủ yếu là HBM3E 12 lớp, nhưng theo thông tin, tỷ trọng HBM4 12 lớp sẽ tăng từ 20% đến 30% vào đầu năm nay lên tối đa 50% vào cuối năm.

HBM4 12 lớp là bộ nhớ đi kèm với bộ tăng tốc AI mới nhất "Vera Rubin" của NVIDIA, Micron đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm này vào quý II năm nay. CEO Micron Sanjay Mehrotra tại buổi công bố kết quả kinh doanh quý III năm tài chính 2026 vào tháng 6 năm nay cho biết, tốc độ tăng sản lượng HBM4 12 lớp nhanh gấp khoảng hai lần so với HBM3E 12 lớp, doanh thu xuất xưởng lũy kế của HBM4 đã vượt 1 tỷ USD.

Cục diện thị trường: Khoảng cách giữa ba ông lớn có thể thu hẹp đáng kể

Mặc dù Micron là một trong ba nhà sản xuất HBM lớn nhất toàn cầu, công suất của họ vẫn còn khoảng cách rõ rệt so với Samsung Electronics và SK Hynix. Giới trong ngành nhìn chung cho rằng, công suất HBM hàng tháng của Samsung và SK Hynix mỗi bên khoảng 150.000 đến 200.000 tấm, gấp 3 đến 4 lần so với Micron. Nếu Micron không thể thu hẹp khoảng cách này, sẽ khó thay đổi cục diện thị trường đứng thứ ba trong thời gian dài.

Theo dữ liệu từ công ty nghiên cứu thị trường Counterpoint Research, trong quý II năm nay, thị phần HBM toàn cầu có SK Hynix dẫn đầu với 50%, Samsung Electronics chiếm 32%, Micron chiếm 18%. Nếu mục tiêu mở rộng công suất đạt được đúng kế hoạch, khoảng cách công suất giữa Micron và hai đối thủ lớn dự kiến sẽ được thu hẹp xuống còn một nửa so với hiện tại, sự phân bổ lại thị phần có thể sẽ diễn ra sau đó.