中國記憶體大突破！長鑫存儲傳開始小批量生產 HBM3E 晶片

中國最大記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT）傳出關鍵技術突破，The Information 引述多位知情人士報導，長鑫存儲已開始小批量生產 HBM3E 晶片，並計劃於 2027 年擴大量產規模。這是中國半導體產業在美國出口管制的全面圍堵下，至今最具里程碑意義的追趕訊號，直接挑戰全球三大廠的主導地位。

開源 AI 模型助攻，長鑫突破 HBM 封裝瓶頸

長鑫存儲這次突破的核心，在於製程中技術門檻最高的封裝工程。根據知情人士透露，長鑫運用開源大型 AI 工具，成功完成了 HBM 生產流程中的關鍵封裝突破。

封裝技術一直是 HBM 量產的核心障礙，即便具備 DRAM 晶粒製造能力，若無法將多顆晶粒精密堆疊與互連，HBM 仍難以出貨。長鑫存儲利用 AI 輔助工程設計，繞過了傳統上需要多年經驗人才與設備投入才能跨越的技術壁壘。

HBM3E 作為目前業界最先進的高頻寬記憶體規格之一，廣泛用於驅動 NVIDIA Blackwell 系列 AI 加速器。SK 海力士已於 2024 年底開始為 NVIDIA 規模量產前一世代產品，三星則同時押注 HBM3E、HBM4 乃至 HBM4E 技術佈局。長鑫存儲若能如期於 2027 年完成量產，技術世代雖仍落後其餘三大廠，但縮短差距的速度明顯遠超外界預期。

CXMT 上市至今財報成績亮眼，股價飆漲 472%

長鑫存儲在技術突破之外，商業表現同樣引發市場關注。公司在今年早些時候成功上市後，股價累計漲幅高達 472%。財務數據顯示，今年上半年營收年增近 19%，達人民幣 1,503 億元（約 223 億美元），淨利潤為人民幣 776 億元（約 115 億美元）。

這是長鑫存儲在連續虧損五年後，首度實現大規模獲利，印證了中國 DRAM 產業在政策補貼與龐大內需雙重驅動下的快速商業化進程。

出口管制加速自給自足，中美 AI 競賽進入新階段

美國持續將先進 HBM 晶片列入對中出口管制清單，禁止 SK 海力士、三星、美光等廠商向中國供應相關產品。這項禁令原意在於壓制中國 AI 算力的擴張，但從長鑫存儲的發展軌跡來看，管制措施在某種程度上反而進一步強化了中國自力研發的政治意志與資源投入。

若長鑫存儲於 2027 年完成 HBM3E 量產，並憑藉低成本製造能力切入中國 AI 基礎設施市場，全球 HBM 市場的競爭格局將面臨重組。市場分析師推測其 DRAM 晶圓產能的一部分可能會轉向生產 HBM3E，進而加劇商品型 DRAM 的供應短缺，並對三大廠構成壓力。