三星發表 3D 記憶體戰略 CUBE：HBM5 效能翻倍、zHBM 顛覆 AI 加速器架構

三星電子於 SEMICON Taiwan 2026 展前峰會「Memory Executive Summit」上，正式對外曝光代號「CUBE」的全新記憶體技術戰略。記憶體產品規劃部門副總裁 Choi Jang-seok 在演講中宣布，三星將以 3D 垂直堆疊架構作為突破記憶體物理瓶頸的核心手段，並同步公布從 HBM5 到 zHBM、zNAND-O 的完整世代路線圖，正面回應 AI 工作負載對記憶體容量、頻寬與能效上與日俱增的系統性需求。

CUBE：四大目標重新定義記憶體競爭格局

CUBE 為三星記憶體新戰略的四項核心目標縮寫，分別代表容量（Capacity）、利用率（Utilization）、頻寬（Bandwidth）與能效（Efficiency）。戰略核心在於徹底擺脫 PCB（印刷電路板）面積對記憶體容量的限制，試圖透過垂直堆疊晶片，在不增加 PCB 尺寸的前提下持續擴充容量。

Choi Jang-seok 在演講中強調，3D 架構的終極目標不只是堆疊元件本身，而是如何精密優化各層之間邏輯與記憶體的配置，以降低資料處理延遲並極大化每瓦效能：「3D 的關鍵不在於單純的堆疊，而在於每一層如何被充分利用。」

TSV：支撐 3D 架構的垂直資料高速公路

3D堆 疊架構能夠實現的物理基礎，在於貫穿矽晶片的細微銅質孔洞，也就是 TSV。數以千計的 TSV 垂直穿透每一層晶片，將晶片間的資料傳輸距離從傳統記憶體的毫米級大幅壓縮至僅數十微米，不僅縮短訊號路徑，更能讓大量資料通道並行傳輸。

Choi Jang-seok將這套結構形容為「垂直資料的高速公路」，正是這套機制使 HBM 得以在 AI 加速器中實現遠高於傳統 DRAM 的頻寬與能效表現。

三代技術路線圖：HBM5、zHBM、zNAND-O

HBM5：下世代主力 HBM，效能翻倍

三星以目前正於主要客戶端進行樣品測試的 HBM4E 作為比較基準，積極推進 HBM5 開發。公司表示，HBM5 以「效能為 HBM4E 的 2 倍、每瓦效能提升 20%、熱阻降低 20%」作為設計目標。

zHBM：把記憶體直接堆疊在處理器上

zHBM 是三星最具架構顛覆性的技術方向，於上個月在加州舉辦的 FMS 2026 首度亮相。其核心突破在於將 HBM 直接堆疊於 GPU 或 CPU 等邏輯處理器之上，而非以並排方式連接，藉此大幅縮短記憶體與運算單元之間的資料傳輸距離。

此外，zHBM 可在記憶體與 AI 加速器之間的中介層整合客製化 IP 區塊，為不同客戶提供差異化設計彈性。zHBM 以效能為 HBM4E 的 8 倍、每瓦效能提升至 3 倍、熱阻降低 75% 至 90% 為設計目標。

zNAND-O：為 LLM 打造的高密度儲存方案

zNAND-O 是以 TSV 垂直堆疊 4 或 8 層 V-NAND 晶片的 3D 封裝儲存產品，專為大型語言模型（LLM）所需的海量儲存容量而設計。相較於傳統 NAND 儲存方案，zNAND-O 的設計目標大幅躍進：位元密度達 DRAM 的 10 倍、讀取頻寬與能效達傳統 NAND 的 7 倍，預計 2028 年開始送樣。

三星 DRAM 與 NAND Flash 雙線領先

CUBE 戰略的推出，奠基於三星在記憶體兩大市場的現有主導地位。根據調研機構 Counterpoint Research 統計，2026 年第二季三星電子在全球 DRAM 市場的營收市佔率達 39%，遙先於 SK 海力士的26%與美光的 25%。NAND Flash 方面，TrendForce 數據顯示三星市佔率為 29.3%，同樣居於業界首位；AI 伺服器帶動的企業級 SSD 需求強勁，是推升三星第二季 NAND 營收的主要動能。

三星表示，將持續運用技術實力與製造規模優勢，同步滿足傳統記憶體以及 HBM、企業級 SSD 等高附加價值 AI 產品的市場需求，在下一波 AI 基礎設施建設浪潮中鞏固其跨產品線的競爭優勢。