台積電攜手天虹 先進製程實驗室啟用
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天虹今（1）日舉行「先進製程實驗室」開幕啟用儀式。（天虹提供）
〔記者林薏茹／台北報導〕半導體設備廠天虹科技（6937）今（1）日舉行「先進製程實驗室」開幕啟用儀式，晶圓代工龍頭台積電（2330）研究發展先進設備暨模組發展副總經理章勳明也代表出席，雙方將聚焦先進製程鍍膜設備、膜質改善技術及前驅物篩選與驗證三大核心領域，進一步深入研究與開發。
天虹科技執行長易錦良表示，這座先進實驗室啟用，是天虹發展史上的重要里程碑，也證明台灣本土設備業不再只是追隨者，有能力成為創新者，未來將持續加大在台的研發投資，與本地的供應鏈夥伴發揮綜效，逐步實踐尖端設備國產化的願景。
天虹盼透過此實驗室的運作，加速全球下一世代晶片技術的推進，該實驗室將作為前瞻技術的孵化基地，在先進製程鍍膜設備方面，優化本土自主研發設備，以因應嚴苛的次世代晶圓製程挑戰；針對膜質改善技術，將透過創新製程調整，提升薄膜的均勻度、填洞能力、電性特性與物理特性，進而優化晶圓性能與良率。
至於前驅物篩選與驗證方面，將針對新世代特殊化學氣體與新材料進行高效篩選，在研發初期即確保材料的化學穩定性與綠色環保標準。
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