SK海力士估：記憶體短缺將持續到2030年底

SK海力士預估，目前的記憶體晶片短缺問題將持續到2030年底。（路透資料照）

〔財經頻道／綜合報導〕SK海力士週四（27日）表示，公司計畫2029年第3季在印第安納州廠開始量產下一代HBM4E晶片，並預估，目前的記憶體晶片短缺問題將持續到2030年底。

《路透》報導，SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-jung）預估，這座工廠的產能最終將達到每年數十萬片晶圓。這項斥資超過40億美元（約新台幣1265.8億元）的計畫代表著SK海力士在美業務的重大擴張，因為AI領域的投資激增，推高了對HBM的需求。而SK海力士希望將產線更靠近輝達、微軟和Google等主要客戶。

郭魯正指出，自己沒有看到記憶體市場出現明顯下滑的跡象，並預計，最終的放緩將是需求趨於緩和，而不是急遽下降。郭魯正也補充，他對2030年以後的前景並不擔心。另外，被問到SK海力士是否已撤回NAND快閃記憶體部門Solidigm在美國進行首次公開發行（IPO）的計畫時，郭魯正表示，相關計畫仍在討論中，尚未決定是否放棄。

SK海力士預估，到2030年，印第安納州將成為美國重要的HBM生產基地，位於西拉法葉（West Lafayette）的普渡研究園區計畫在2028年下半年開始無塵室的運作。這一廠區將容納下一代HBM封裝產線以及AI半導體研發設施。

SK海力士表示，該廠將與SK海力士在南韓的生產設施緊密結合，在那裡生產的先進晶圓將運往印第安納州進行封裝和測試，然後再供應給美國客戶。SK海力士聲明，隨著AI基礎設施擴張競爭加劇，位於印第安納州的這座工廠連接了SK海力士在南韓和美國的生產系統，不僅有助於穩定美國半島供應鏈，也將為AI時代加強國家經濟和安全做出貢獻。

郭魯正表示，SK海力士的目標是在美國建立先進的記憶體供應鏈。