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終於等到這一刻?外媒揭 : 台積電的HBM封裝良率問題有利於英特爾

終於等到這一刻?外媒揭 : 台積電的HBM封裝良率問題有利於英特爾

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發佈時間:
2026-08-27 08:53:33
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AI晶片大戰出現意外轉折!台積電封裝壓力讓英特爾看到曙光。(彭博,本報合成圖)AI晶片大戰出現意外轉折!台積電封裝壓力讓英特爾看到曙光。(彭博,本報合成圖)

〔財經頻道/綜合報導〕在AI晶片競賽中追趕多年的英特爾,終於看到新的突破口。外媒報導,英特爾推出Diamond Rapids、Crescent Island與Wildcat Lake等新一代AI處理器,更關鍵的是,台積電CoWoS在整合AI加速器與高頻寬記憶體(HBM)時,正面臨成本、良率風險與產能吃緊等挑戰。

市場開始關注,這家昔日晶片霸主能否趁台積電封裝瓶頸浮現之際,重新搶回AI供應鏈的一席之地。《EE Times》引述分析師指出,台積電在AI加速器與高頻寬記憶體(HBM)整合上面臨良率風險、產能限制與高報廢成本,反而替英特爾多年布局的EMIB先進封裝創造機會。

英特爾日前在Hot Chips 2026公布三款AI架構,其中下一代Xeon處理器Diamond Rapids鎖定企業級代理式AI,最高搭載256核心與16個記憶體通道;Crescent Island則鎖定低功耗AI推論,Wildcat Lake則將AI能力延伸至用戶端與邊緣裝置。相較過去單純追求更強處理器,英特爾現在更大的籌碼,可能來自製造與先進封裝能力。

Counterpoint Research共同創辦人Neil Shah指出,台積電CoWoS長期是Nvidia、AMD及Broadcom等AI客戶的主流封裝方案,但HBM必須透過大型矽中介層與AI晶片整合,不僅成本高、封裝厚,還存在良率與高報廢成本風險。一旦最終封裝階段的中介層或互連出問題,已完成的GPU與多組HBM都可能一起報廢,損失可達數千美元。

這正是英特爾EMIB(嵌入式多晶粒互連橋接)可能切入的地方。

據報導,不同於CoWoS使用大型矽中介層,EMIB是在有機基板中嵌入局部矽橋,讓晶粒直接高速互連,這項技術已量產應用於Sapphire Rapids、Ponte Vecchio等產品,英特爾也正持續擴充新墨西哥州的先進封裝產能。

Counterpoint更指出,供應鏈調查顯示Google與聯發科未來的TPU產品可能採用Intel Foundry的EMIB-T。不過,這並不代表台積電的CoWoS優勢已經鬆動。

分析師Mike Demler認為,台積電既有CoWoS製程良率仍相當優異,新版CoWoS-L可能曾在初期面臨良率問題,但目前沒有證據顯示存在全面性的良率危機;真正確定的壓力仍是產能不足。即便如此,只要AI客戶開始尋求第二來源,英特爾便有機會靠EMIB、Foveros及後續ZAM、XBM等技術,把先進封裝變成重返AI戰場的一張新王牌。

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