中國EUV光刻技術突破：邁出重要一步，但整機研發仍任重道遠
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btccSquare新聞：中國在極紫外光（EUV）光刻技術方面的突破性進展，已在半導體產業掀起波瀾，但專家警告勿過度解讀其短期影響。 這項被比作「曼哈頓計劃」的發展，目前主要聚焦於生產EUV光源，而非完整的曝光機。
半導體分析師指出，儘管中國已展示利用雷射產生電漿技術產生EUV波長光束的能力——這是ASML的核心創新之一——但這僅是複雜製造生態系統中的第一步。 從原型到量產的過程通常需要數十年，ASML長達18年的研發歷程便是明證。
產業領導者仍保持技術優勢，ASML與台積電持續推動摩爾定律前進。 市場觀察家建議以6-10年的時間維度觀察中國的進展，目前能力尚無法對現有廠商構成短期威脅。 此發展凸顯全球半導體主導權的競逐，但短期內並未直接衝擊加密貨幣挖礦硬體市場格局。
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