華為最新晶片被看光光！研調拆解揭一大硬傷 真相太殘酷

半導體研究機構揭露中國晶片技術現況及困境。示意圖。（路透）

〔財經頻道／綜合報導〕加拿大半導體研究機構《TechInsights》發布拆解華為麒麟9030 Pro報告，這款晶片採中芯國際 N+3 製程（7奈米製程進階版），研究團隊逐層逆向還原中芯N+3。在美國持續封鎖中國取得先進晶片設備之際，中芯雖靠DUV技術持續推進，但最新實測再次揭開一大硬傷，製程微縮程度仍明顯落後台積電及三星5奈米，凸顯中國無法取得EUV設備下，推進先進製程的侷限性。

TechInsights 公布最新研究，針對華為海思麒麟9030 Pro進行製程進行逆向工程，深入拆解由中芯國際N+3製程的晶片。這次研究不只確認使用何種製程，更進一步從電晶體到金屬互連逐層分析，試圖回答外界高度關注的問題：中芯N+3與台積電、三星領先製程相比，究竟還有多少差距？

TechInsights指出，最新分析涵蓋前段製程（FEOL）及後段製程（BEOL）的關鍵尺寸、圖案化策略與完整微影光罩組合，透過實際量測，可以進一步掌握中芯N+3的圖案化複雜度、金屬堆疊架構及微影設備能力。

TechInsights先前已拆解華為Mate 80 Pro Max搭載的麒麟9030。當時外界對這款處理器究竟採用5奈米、6奈米，或中芯N+2改良製程眾說紛紜。由於中芯並未公布相關製程路線圖，TechInsights透過晶片結構及尺寸實測，最終確認麒麟9030採用中芯N+3。

研究指出，中芯N+3是原本7奈米製程的進階版。在無法取得最先進EUV設備下，中芯持續利用深紫外光（DUV）技術推進製程。先前研究顯示，N+3相較N+2已取得具有意義的密度提升，但TechInsights同時確認，中芯N+3的微縮程度仍明顯落後台積電及三星已商用的5奈米製程。

在美國持續限制中國取得先進半導體設備之際，這項研究另一層意義，在於檢視中國先進晶片製造自主化的實際進度。TechInsights認為，相關結果除了可作為晶圓代工技術競爭的比較依據，也有助於評估設備需求，以及中芯在缺乏EUV的情況下，利用DUV推進先進製程的侷限性。