中國國產DUV靠「雜牌聯軍」生產5套鬥ASML130套 嚇到市場「過度反應」

業內人士認為中國製造的曝光機設備與ASML的設備之間存在顯著的技術差距。（路透）

〔財經頻道／綜合報導〕彭博27日引述IT媒體《資訊報》報導，一家總部位於中國上海的國有半導體設備公司已開始量產浸沒式深紫外曝光設備（DUV）。報導雖未透露該公司名稱，但稱其計畫今年生產約5套系統，明年生產約20套DUV。

中國實現DUV曝光機國產化的消息傳出後，ASML股價當日下跌8.4%。儘管美國對中國半導體出口實施管制，但市場預期中國在自主研發曝光機設備方面取得進展，似乎影響了投資者情緒。

面對市場的恐慌拋售，摩根大通分析師直言市場「過度反應」；半導體分析師陸行之剖析，短期內雖難以撼動ASML地位，但長線「國產替代」效應仍是隱憂。

據了解，該設備的研發主體與其說是單一公司，不如說是一個在地化聯合體。資料顯示，該設備的研發是由多家中國企業的深潛器研發機構整合完成的。

業內人士認為，除上海宇量昇科技公司、深圳市新凱來公司、上海微電子設備公司（SMEE）外，華為和清華大學的一個研究團隊也參與這項技術的研發。新凱來是一家由華為前員工創立的半導體設備製造商，被中國政府列為半導體自主研發策略的重點企業之一。

資訊顯示，這批設備計畫供應給中芯國際、長江存儲和華虹半導體等中國主要晶片製造商。由於美國出口管制，中國晶片企業無法獲得極紫外光曝光機（EUV）設備，因此計劃將多重曝光製程應用於浸沒式DUV設備，以繼續生產智慧型手機和人工智慧晶片。

曝光機設備可分為極紫外線 （EUV） 系統和深紫外線 （DUV） 系統，其中DUV主要用於10奈米及以上的製程。雖然EUV 在尖端製程中的應用更為廣泛，但DUV在成熟製程和一些先進製程中也擁有穩定的市場需求。

自2019年以來，美國一直向荷蘭政府施壓，要求限制ASML向中國出口EUV設備，並於2023年將尖端的浸沒式DUV設備也納入管制範圍。

然而，業內人士仍然認為中國製造的設備與ASML的設備之間存在顯著的技術差距。ASML每年生產超過130套浸沒式深潛器系統，而中國設備今年的產量目標仍只有五套左右。其技術水平與ASML早期浸沒式深潛器類似，分析表明，在精度、產量和設備可靠性方面，中國設備仍存在多年的差距。