中國曝光機技術被赤裸打槍！蔡司CEO直曝良率低、落後差距難追趕

目前中國沒有EUV技術，可利用DUV技術透過多重曝光製造出5奈米級晶片，但對長期來說並不可行。（示意圖，路透）

〔財經頻道／綜合報導〕美國等各國政府制定嚴格規定阻止德國光學大廠蔡司（Zeiss）和荷蘭半導體設備商艾斯摩爾（ASML）等公司向中國出口極紫外光曝光機（EUV）設備，這將阻礙中國未來的發展。DigiTimes報導指出，隨著台積電加速推進2奈米製程的生產，蔡司執行長弗蘭克·羅蒙德（Frank Rohmund）認為，中國的製造能力將僅限於7奈米製程；中國在EUV技術的差距阻礙半導體產業的追趕步伐。

在美國出口管制措施的限制下，中國陷入先進晶片製造業務的困境，管制措施使得中國無法從荷蘭製造商ASML獲得尖端的極紫外光曝光設備。這一巨大的障礙迫使中國最大的半導體代工廠轉而使用深紫外光（DUV）曝光設備進行多重曝光技術。羅蒙德表示，從商業角度來看，這無助於推動中國先進發展。

羅蒙德指出，即使沒有EUV技術，中國也可以利用DUV技術，透過多重曝光製程製造出5奈米級晶片，但其顯而易見的缺點包括製程複雜、良率低、成本高，多重曝光方法長期來看不可行。此外，羅蒙德表示，只有政府出手提供大量補貼支持這些項目，這種方法才切實可行。

外媒wccftech則指出，早前有報導稱，中國將於2025年開始試生產自主研發的極紫外光曝光機，但此後並未有任何後續消息，這些說法最終不了了之。除非中國找到繞過美國出口管制的方法，例如走私或其他非法手段，否則隨著中國無法取得極紫外光曝光機，其競爭力差距將逐漸擴大。

另外，據《路透》與相關調查指出，位於深圳一座由中央科技委員會管理的保密設施內，首台全國產化的極紫外光曝光機原型機已成功啟動。