DDR4明年第1季合約價傳漲5成 南亞科、華邦電受惠
DDR4明年第1季合約價傳漲5成，南亞科、華邦電受惠。（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕隨著大廠專注生產AI需求的高頻寬記憶體（HBM），退出或減少產出DDR4，帶動DDR4缺貨漲價，漲勢尤其強勁，面對2026年，記憶體業傳出DDR4持續呈現缺貨漲價走勢，第1季合約價談定上漲達5成，第2季洽談中，估計仍續漲價，對台廠南亞科（2408）、華邦電（2344）及拿得到貨的記憶體模組有利。
南亞科月產能6萬多片，受惠於DRAM市場景氣回升，今年第3季已單季轉虧為盈，10月獲利也已公告每股稅後盈餘（eps）0.66元，單月EPS超越第3季的0.5元，第4季可望繳出顯著獲利佳績，明年營運也看好。南亞科預計1月19日召開法說會，屆時將公布第4季財報與營運展望。
南亞科第3季DRAM的平均價格季增4成多，第4季價格續漲，公司對第4季營運把握度更高，預期毛利率與獲利會比第3季好，明年也會是1個很不錯的1年，主要感受到客戶對長單需求熱絡，尤其DDR4供需缺口大，南亞科DDR4佔產能比重超過一半。
華邦電對明年展望也抱持樂觀看法，主要受惠於DRAM/NAND等記憶體產品出現結構性短缺，帶動DDR4/DDR3漲價、DDR4漲勢尤其強勁，公司啟動355億元投資擴產，高雄廠DRAM月產能將提升至2.4-2.5萬片，並導入16奈米製程，8Gb DDR4/LPDDR4產品預計明年量產；台中Flash擴產目標將增加產能20%。
記憶體廠華邦電10月稅後淨利為11.86億元， 年增394.33倍，每股盈餘0.26元。受惠記憶體缺貨與價格上漲，出貨量增加，華邦電第3季稅後淨利約達29.43億元，每股盈餘約0.65元，終結連續4季虧損，創近3年來單季獲利新高，不僅彌補上半年虧損，並帶動今年前3季稅後淨利約5.39億元，每股盈餘0.12元，加上10月累計稅後淨利達17.25億元，每股盈餘0.38元。
