三星電子計畫在1nm級製程節點實現High NA EUV商業應用
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PANews 8月12日消息,根據《科創板日報》報道,三星電子計畫在1nm級製程製程節點實現High NA EUV設備的商業化應用。 三星電子晶圓代工製程開發團隊樸昌民表示,對於2nm的SF2和1.4nm的SF1.4兩個近期節點來說,High NA EUV光刻圖案化技術仍不算成熟。 而更高的圖案化解析度將在1nm級成為剛需,因此三星晶圓代工正以此為目標與合作夥伴聯合研發。 考慮到三星晶圓代工先前將2029年設定為SF1.4的量產時點併計劃在2030年推出改良型SF1.4+,其1nm節點最快也要到2030年才會推出。
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