三星探索記憶體新技術：垂直堆疊於AI加速器之上，密度超傳統HBM5十倍
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PANews 8月5日消息，據金十報道，美東時間8月4日，三星電子在美國加州聖克拉拉舉行的未來存儲與內存大會（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型產品。 該晶片擁有超過400層結構，並採用全新的晶圓鍵合架構，以提高儲存密度並增強效能。 三星表示，其BV-NAND技術較上一代V9 NAND將儲存密度提高約58%，同時提升讀取、寫入以及輸入/輸出效能，以滿足人工智慧系統對更高容量、更高能源效率儲存解決方案日益增長的需求。 三星也展示了其稱業界首款zHBM和zNAND-O架構概念模型。 該技術透過垂直堆疊儲存單元，在更小空間內儲存更多資料。
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