華爾街普遍看好：ASML產能激增，「記憶體峰值理論」可以告一段落

作者：華爾街日報

ASML發布的第二季財報遠超預期，並大幅調高了全年業績預期。同時，該公司也罕見地公佈了2027年至2028年的產能擴張路線圖，直接回應了市場對人工智慧驅動型需求永續性的擔憂。華爾街主要投資銀行迅速做出反應，高盛、摩根大通、巴克萊銀行等一致維持或重申了對ASML的「買入」評級，認為ASML的業績充分驗證了人工智慧供應瓶頸理論，並有力地駁斥了關於內存價格將在2028年達到峰值的悲觀論調。

ASML第二季營收為93億歐元，超過彭博社先前預測的89億歐元，毛利率為54%，遠超過先前51%-52%的預期範圍。隨後，該公司將2026年全年營收預期從360億至400億歐元上調至430億至450億歐元，中位數較市場預期高出約11%；全年毛利率預期也上調至54%-56%。更重要的是，管理階層明確表示，將在2027年和2028年將低數值孔徑EUV和浸沒式DUV產能擴大約30%，這直接導致市場對ASML 2028年獲利預期大幅上調。

消息公佈後，ASML在阿姆斯特丹的股價上漲約4%，納斯達克100指數期貨也上漲約40個基點。 SK海力士在首爾上市的股票單日飆漲8.8%，此前其美國存託憑證(ADR)曾上漲27%。高盛維持對SK海力士的「買入」評級，12個月目標價為2000歐元，這意味著較當前股價有約29%的上漲空間；摩根大通也維持對SK海力士的「增持」評級，目標價為1900歐元。

整體業績超出預期，第三季業績指引超出市場預期。

ASML第二季所有核心財務指標均超出市場預期。根據高盛的研究報告，第二季營收為93.27億歐元，比市場普遍預期高出6%；EBITDA為34.56億歐元，比市場普遍預期高出13%；每股收益為7.58歐元，比市場普遍預期高出約11%。毛利率高達54%，不僅遠超過先前預期上限，也比市場普遍預期高出約230個基點。

第三季業績指引也遠超預期。該公司預計第三季營收將在110億歐元至120億歐元之間，中位數比市場普遍預期高出約11%；毛利率指引為55%-57%，這意味著第三季EBITDA將比市場普遍預期高出約26%。摩根大通的研究報告顯示，第三季營收中位數為115億歐元，比市場普遍預期高出12%；毛利率中位數為56%，比市場普遍預期高出350個基點。

摩根大通分析師 Sandeep Deshpande 指出，部分超額收益是由 IBM 的安裝基礎管理業務推動的，該業務的收入比預期高出約 3 億歐元。軟體驅動的生產力提升以及 EUV 服務安裝基礎的持續擴張預計將推動該業務今年增長超過 30%，從而為毛利率提供額外支撐。

產能擴張路線圖超出買方預期，2028年獲利潛力被大幅重新評估

這次業績發表會上最受關注的面向是管理階層關於2027年至2028年產能擴張的明確聲明。 ASML表示，其低數值孔徑EUV微影機的產能將從2026年的約65台成長約30%，達到2027年的約85台，並正在研究2028年進一步成長30%，達到約110台。同時，浸沒式DUV光刻機的產能也將從2026年的約130台增加到2027年的約169台，並在2028年進一步增加到約220台。

根據高盛的計算，該產能計劃意味著低數值孔徑 EUV 出貨量將在 2027/2028 年達到 85/110 台，遠遠超過市場普遍預期的 85/89 台；浸沒式 DUV 出貨量將達到 169/220 台，也顯著超過普遍的 137/16137 台，也顯著超過普遍的 137/146137。

摩根大通指出，ASML 2028年的產能指引已超過該行先前最高的賣方預測。粗略估計，如果上述產能計畫得以實現，ASML 2028年的每股盈餘將超過65歐元，加上其已安裝基礎管理業務的強勁成長勢頭，實際利潤可能更高。高盛交易部門也評論稱，ASML 2028年EUV光刻機產能目標約為110台，已落入「超級樂觀區間」（110至120台），遠超賣方普遍預期的約89台。

高盛表示，ASML 已基本鎖定 2027 年所需的大部分 EUV 訂單，並已收到相當數量的 2028 年訂單，管理層稱訂單接收情況「非常強勁」。

人工智慧需求加速成長，邏輯和記憶體沿著雙線擴展

管理層明確指出，人工智慧驅動的需求持續強勁，邏輯晶片和記憶體領域的需求不斷增長，這將有助於客戶進一步擴大先進製程節點的產能。在先進邏輯領域，ASML指出，客戶正在同步提升5/4/3奈米節點的產能以滿足人工智慧需求，同時積極推動2奈米製程的量產，並開始為向1.4奈米製程的過渡做準備。公司預計，到2026年，先進邏輯業務的收入將年增約25%。

在記憶體方面，ASML指出，DDR和HBM的供應緊張正促使客戶加快投資步伐，而EUV和先進浸沒式微影技術的普及進一步推高了設備需求。該公司預計，2026年記憶體營收將年增約75%。

高盛交易部門評論稱，隨著記憶體市場向HBM4/HBM5和傳統伺服器DRAM所需的先進的1c/1d奈米節點過渡，記憶體製造正在經歷一場根本性的範式轉移。 1c DRAM中的EUV層數已增加到五層以上，而1d和0a代產品計劃在所有層中全面採用EUV技術。深紫外線多重曝光製程已達到物理極限，這使得ASML成為這項結構性變革的主要受益者。

高盛進一步指出，HBM所需的晶圓強度遠高於傳統DRAM，這種雙線擴張嚴重擠壓了全球晶圓廠產能，導致記憶體價格在更長時間內居高不下。鑑於向先進製程節點過渡的結構性複雜性，預測記憶體價格將在2028年之前達到峰值或供應缺口將顯著緩解的悲觀論調「似乎為時過早」。

華爾街普遍認可，分歧僅在於2027年的業績指引是否夠積極。

幾家主要投資銀行在財報發布後迅速發布了積極的評估報告，但在 2027 年 EUV 產能指引的解讀上存在一些細微的差異。

巴克萊分析師西蒙·科爾斯表示，ASML 提供了投資者預期的大部分內容，其對 2027 年和 2028 年低數值孔徑 EUV 產能的指導應該會減少市場對該公司是否受到供應限制的爭議。他也指出，今年上半年低數值孔徑 EUV 的訂單金額可能達到 220 億歐元，創歷史新高。

摩根大通的 Sandeep Deshpande 認為，儘管該公司在 2027 年的 EUV 產能沒有達到 90 台，但“我們認為這並不重要”，因為 2028 年 EUV 和 DUV 產能的預期遠遠超出預期，而且 2026 年約 35% 的收入增長率佔了目前兩年內對晶圓增長率的增長。

摩根士丹利分析師李辛普森指出，儘管該公司不再披露訂單數據，但管理層表示，今年上半年的訂單量仍然“非常強勁”，客戶正在尋求加快產能擴張，這表明 2027 年的銷售勢頭強勁。

傑富瑞分析師 Janardan Menon 採取了相對謹慎的態度，他認為該公司的展望評論喜憂參半，其中已安裝基礎管理業務的銷售額和毛利率的強勁增長尤其令人鼓舞，但 2027 年 EUV 的業績指引低於近期大幅上升的市場預期。

Oddo BHF 預計市場普遍預期利潤將上調約 20%，並表示「ASML 仍然是技術主導地位無可匹敵的典範，現在正受益於人工智慧驅動的根本性不同的周期」。