三星領先全球量產HBM4搶攻AI市場,鎖定輝達供應鏈
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三星電子即將在AI記憶體市場掀起革命,計劃於二月向輝達交付全球首款量產的HBM4。 此戰略舉措旨在收復HBM3E受挫後的市場領導地位,透過先進的1c DRAM與4奈米晶圓代工技術,實現11.7 Gbps傳輸速度——較業界標準快37%。
12層堆疊設計提供36GB容量(可擴展至48GB)與3 TB/s頻寬,其節能架構更能解決資料中心關鍵的散熱挑戰。 三星垂直整合的供應鏈——涵蓋邏輯晶片、記憶體與封裝——使其成為輝達下一代AI加速器(如Vera Rubin平台)的關鍵合作夥伴。
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