研調：明年DRAM供需缺口將進一步擴大

明年DRAM供需缺口將進一步擴大。示意圖。（彭博）

〔記者林薏茹／台北報導〕研調機構TrendForce最新記憶體產業研究指出，2027年記憶體需求持續由AI應用主導，DRAM因HBM排擠產能、AI伺服器需求強勁，供需缺口將進一步擴大；NAND Flash則在新產能開出、終端消費需求走弱下，明年下半年供給趨向寬鬆，價格恐面臨修正壓力。

TrendForce表示，為因應AI基礎建設擴張帶來的中長期需求，各大DRAM原廠已提早啟動產能擴充計畫。短期內供應商積極提高既有廠區產能，加速製程升級、降低產品轉換頻率，以支撐2026年整體位元供給擴張。

展望明年，受到HBM需求持續拉升，加上北美雲端服務供應商持續提高資本支出，有助DRAM需求位元成長維持高檔，2026年DRAM供應與需求位元差距落在-1%至-2%間，2027年因需求增速超越供給成長，供需缺口將進一步擴大。

NAND Flash方面，TrendForce指出，2027年隨著各大廠加速轉進至高層數產品，以及新廠產能逐步釋放，預計位元供給成長幅度將超越2026年，市場產出規模顯著擴張，但因消費性電子需求仍偏弱，市場供需將轉趨寬鬆，若Agentic AI普及取得突破性進展，將能再度拉升高速SSD的需求，使整體供需趨近平衡。