中國長鑫擴產衝刺 全球記憶體三足鼎立格局遭威脅

長鑫存儲計畫在上海上市。（長鑫官網）

〔編譯魏國金／台北報導〕韓國媒體BusinessKorea報導，中國最大DRAM製造商長鑫存儲正透過積極擴張，增加其記憶體產能，此發展威脅當前全球3大記憶體巨頭的製造格局。

報導說，在個人電腦與智慧手機的通用DRAM領域上獲利豐厚的長鑫，加速發展高頻寬記憶體（HBM），預料高附加價值記憶體領域的競爭，將進一步加劇。

根據美國半導體產業分析公司SemiAnalysis 6日公佈的報告，今年底，中國長鑫的產能預估達每月35萬片，較全球第3大記憶體公司美光科技的38.5萬片僅少3.5萬片。

長鑫目前尋求在上海證券交易所上市，以期集資295億人民幣，透過研發下一代DRAM以及大規模擴大產線，提升競爭力。

產業觀察人士預測，在上市後，長鑫產能將從今年月產35萬片擴大至明年42萬片，2028年將提高至50萬片，亦即兩年內增產逾42%。

長鑫之所以採取如此積極的擴張策略，乃因人工智慧（AI）伺服器的投資擴大，導致DRAM記憶體持續短缺。全球3大記憶體巨頭：三星電子、SK海力士與美光正聚焦於高附加價值記憶體，比如HBM的生產，以滿足AI伺服器的需求。

儘管目前為止，長鑫的產能集中在通用DRAM，但上市後，其HBM產能也將透過大規模擴張而有顯著提升，因為中國政府正傾舉國之力扶植高附加價值半導體發展，以期完成技術自主。

長鑫正全力投入其第4代HBM3與第5代HBM3E的研發。長鑫計畫明年量產HBM3E產品，以滿足全球AI晶片公司的需求。SemiAnalysis預計，長鑫的相關產能將從明年月產5.5萬片成長逾80%，至2028達每月10萬片。

首爾大學榮譽教授、下一代智慧半導體計畫主管金亨俊表示，「從技術角度來看，中國與三星電子、SK海力士等公司之間仍存在2到3年的差距；但令人擔憂的是中國這些公司在IPO後，透過擴大產能與研發，加速追趕」。