英特爾成功研發出全球最薄的氮化鎵晶片（GaN chiplet）。（圖取自Intel Foundry）

〔財經頻道／綜合報導〕英特爾代工服務（Intel Foundry）實現新的里程碑，成功研發出全球首款、也是最薄的氮化鎵晶片（GaN chiplet），厚度僅19 微米。

科技媒體《Wccftech》9日報導，英特爾發布新聞稿指出，英特爾晶圓代工中心的研究人員展示一種基於 300 毫米矽基氮化鎵晶圓的首創氮化鎵晶片技術，標誌著半導體設計領域的重大飛躍。

英特爾指出，這項成果在2025 年 IEEE 國際電子器件會議 （IEDM）上發佈，旨在解決現代計算領域最緊迫的挑戰之一：如何在日益緊湊的空間內提供更強大的性能、更快的速度和更高的效率。為了滿足圖形處理器、伺服器和無線網路對更高性能的需求，英特爾晶圓代工中心團隊開發一種超薄氮化鎵晶片，其基底矽的厚度僅為 19 微米，大約是人類頭髮絲寬度的5分之1，以及業界首個完全單片整合的晶片上數字控制電路，所有這些都採用單一的整合製造工藝完成。

英特爾說，這項創新的需求源於現代電子產品的難題，也就是如何在更小的空間內整合更多功能，同時還要應對更高的功率負載和更快的資料傳輸速度。傳統的矽基技術正接近其物理極限，業界一直在尋求氮化鎵 （GaN） 等替代材料來彌補這一差距。英特爾晶圓代工將超薄 GaN 晶片與片上數字控制電路相結合，省去單獨的配套晶片，降低元件間訊號傳輸過程的能量損耗。全面的可靠性測試進一步證明，該平台有望成為實際產品的有力候選方案。

這項技術為多個行業的切實改進打開大門。在資料中心，氮化鎵（GaN）晶片的開關速度更快，能耗更低，優於矽晶片。在無線基礎設施領域，GaN電晶體的高頻性能使其成為射頻（RF）前端技術的理想選擇，可應用於未來十年部署的5G、6G 通訊基地台。