三星1奈米「夢幻半導體」推出時間曝光 「這項新技術」挑戰不可能的任務

三星除研發第二代和第三代2奈米GAA（全環閘極）製造外，一份最新報告指出，三星正努力推出其最先進的1奈米技術。（示意圖，彭博）

〔財經頻道／綜合報導〕根據南韓經濟日報（Korea Economic Daily）報導，三星計劃在2031年前推出1奈米製程晶片，採用「叉片式」（fork sheet）方法，從而在相同面積內封裝更多晶體管。

三星除了研發第二代和第三代2奈米GAA（全環閘極）製造外，一份最新報告指出，三星正在努力推出其最先進的1奈米技術，該技術被譽為「夢幻半導體」（dream semiconductor）製程。這家韓國巨頭還需要幾年時間才能準備好展示這項技術。

據稱，三星1奈米研發計畫將於2030年完成，製造流程設計於2031年推出。當然，將製程從2奈米縮小到1奈米幾乎是不可能的任務，但據說三星將採用「叉片式」（fork sheet）方法，從而在相同面積內封裝更多晶體管。

所有三種2奈米製程都採用GAA技術，該技術透過將電流路徑從三個通道擴展到四條通道來最大限度地提高能源效率。因此，在1奈米製程中採用相同的技術效果並不理想。

根據《韓國經濟日報》指出，三星計劃透過在GAA裝置之間添加一層非導電隔膜來實現其2奈米以下製程的量產，類似於在可用空間中插入叉子，因此得名「叉片」。

與住宅建築中草坪環繞建築的做法類似，三星的做法是移除這些草坪，增加更多結構，從而在相同的晶片面積內製造更多晶體管。

wccftech報導，去年，有傳言稱三星出於不明原因取消其1.4奈米製程 ，但後來有報導稱，該公司已將該流程推遲至2028年 ，可能是因為其希望將注意力轉移到2奈米GAA技術上。

三星持續面臨生產難題，很可能是因為當時它沒有探索採用分片製程。借助進一步的研究，該公司或許已經解決了這個問題，但其1奈米製程能否成功實施，還有待時間檢驗。以Exynos 2600為例，晶片有功耗尖峰問題，在執行Geekbench 6等基準測試時，SoC的功耗高達30W，顯示三星尚未解決其2奈米GAA製程的能源效率問題。