英特爾抱蘋果恐撲空 搶單台積電業界透露「零機會」
根據業內人士的最新透露，蘋果IPhone晶片絕不可能（Zero Chance）採用英特爾尖端製程。（路透）
〔財經頻道／綜合報導〕過去幾週，關於英特爾可能重獲蘋果訂單，為其部分M系列處理器和非Pro版iPhone晶片提供晶片的傳聞甚囂塵上，引發廣泛關注。wccftech報導，根據業內人士的最新透露，蘋果iPhone晶片絕不可能（Zero Chance）採用英特爾尖端製程。
最近幾週，GF Securities 和DigiTimes都披露，蘋果可能會在其預計於2027年出貨的入門級M系列晶片，以及2028年的非Pro 版 iPhone晶片中選擇英特爾的18A-P製程。 GF Securities 也進一步指出，蘋果定制的ASIC（預計將於2028年推出）將採用英特爾的EMIB封裝。日前媒體也指出，蘋果公司已經與英特爾簽署保密協議，並獲得其先進的18A-P製程的樣品用於評估。
不過，一些業內人士在SemiWiki論壇上發表評論，對英特爾代工蘋果iPhone晶片的希望潑了一盆冷水。而這種悲觀論調的核心在於，英特爾錯誤地決定在其18A和14A製程上「全面採用」背面供電（BSPD）技術。
基本上，與台積電不同，台積電同時提供帶有背面供電的製程和一些不帶背面供電的製程，以完善其整體產品，而英特爾則在其尖端的18A和14A製程上全面採用背面供電。
當然，背面供電的確能帶來一些性能提升，因為晶片是透過背面更短、更粗的金屬路徑供電，從而降低了電壓降，允許更高、更穩定的工作頻率，同時釋放正面佈線，從而可以提高晶體管密度或減少擁塞和導線長度。
然而，對於行動晶片而言，這種方法帶來的效能提升非常有限。而且，這種方法會導致更嚴重的自熱效應（SHE），需要對晶片進行額外的冷卻。對於這些令人擔憂的散熱問題，業內人士認為英特爾近期內「幾乎不可能」為蘋果生產iPhone晶片。
