中國「混種EUV 」量產前還有巨大挑戰 成本高、良率低將成破產致命傷
荷蘭半導體設備製造商ASML公司採用二氧化碳雷射產生極紫外光，而中國研究人員正在改進一種基於固態雷射的設計，ASML曾因效率不足以進行大規模生產而放了這種方法。（示意圖，路透）
〔財經頻道／綜合報導〕中國深圳EUV超紫外光曝光原型機被視為「 因應需求而生的混合型設備」，北京採取了「舉國之力」的方式，由華為擔任中央系統整合商。這種方法將上海光學精密機械研究所（SIOM）等國家科研機構與私人企業聯合起來。
即便深圳取得了突破性進展，中國在實現晶片量產並推向市場之前仍面臨巨大挑戰。目前，中芯國際（SMIC）採用的是較老舊的DUV曝光機和複雜的多重曝光製程來生產7奈米晶片。這導致成本非常高昂，據報導，中芯國際的晶圓成本比台積電（TSMC）高出40%至50%，而且7奈米晶片的良率低於50%。
在自由市場經濟中，這些效率低下通常會導致公司破產。但在中國，政府會承擔這些成本，以確保像華為這樣的關鍵企業能夠成長。
荷蘭半導體設備製造商ASML公司採用二氧化碳雷射產生極紫外光，而中國研究人員正在改進一種基於固態雷射的設計，ASML公司曾因效率不足以進行大規模生產而放了這種方法。然而，中國團隊目前報告稱，其轉換效率已達3.42%，接近實際應用所需的閾值。
同時，華為正在研發一種雷射誘導放電等離子體（LDP）光源，這是一種更簡單的方案，它使用高壓放電而非雷射。LDP的功率輸出較低，但可以作為備用方案。如果主要的雷射方法無法在不使用被禁用的蔡司鏡片的情況下擴大規模，LDP仍然可以用於製造滿足軍用需求的晶片，即使產量有限。
該計畫積極從ASML等公司聘請頂尖工程師，有時甚至提供高達70萬美元的簽約獎金。根據路透報導，這種「人力情報收集」提供重要的系統整合技術。
中國EUV曝光機的目標是消除昂貴的多重曝光技術，使晶片產業能夠擺脫對國家扶持的依賴，並實現商業化。在此之前（預計在2029年左右），中國晶片產業仍需大量政府資金支持，以平衡其戰略目標與經濟現實。
