10奈米DRAM先進製程洩密中國長鑫存儲 南韓5三星電子前員工起訴

三星電子5名前員工涉嫌洩露先進DRAM製程給中國同業長鑫存儲（CXMT），23日被首爾檢方起訴和羈押。（美聯社檔案照）

首次上稿 12-23 22:18
更新時間 12-24 06:26

〔編譯盧永山／綜合報導〕《韓聯社》報導，首爾中央地方檢察廳資訊技術犯罪偵查部23日以涉嫌違反「不當競爭防止暨營業秘密保護法」和「防止產業技術外流暨產業技術保護法」，起訴向中國長鑫存儲（CXMT）洩密的三星電子5名前員工，並予以羈押，並以相同罪名起訴長鑫存儲（CXMT）研發團隊的5名員工，但未予羈押。

　檢方調查顯示，長鑫存儲成立後立即聘請三星電子前部長A擔任研發室長。為獲取三星電子獨有的10奈米級DRAM（動態隨機存取記憶體）製程技術，A某牽頭招募各核心製程技術骨幹。在此過程中，三星電子前研究員B將DRAM製程核心技術親筆抄錄後帶離公司，隨後跳槽至長鑫存儲。此舉讓長鑫存儲完整掌握了當時全球唯一的10奈米級DRAM全套製程技術。

　檢方進一步查明，長鑫存儲在吸納多名三星電子前員工後，正式啟動DRAM研發。研發期間，還通過合作廠商額外獲取了SK海力士的半導體製程相關技術。在掌握南韓2大核心半導體技術後，長鑫存儲最終於2023年實現10奈米級DRAM量產，成為中國首家、全球第4家掌握該技術的企業。

　檢方指出，此次技術外洩事件導致南韓核心產業技術流失，造成巨額經濟損失。據檢方基於全球市占率變化的推算，三星電子僅2024年銷售額就減少5兆韓元（新台幣1060億元）。若加上該事件對南韓整體經濟的後續負面影響，總損失額至少達數十兆韓元。

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