中國曼哈頓EUV計畫 美專家踢爆真相
中國曼哈頓EUV計畫，美專家踢爆真相。（路透）
〔財經頻道／綜合報導〕美國科技政策與出口管制專家麥奎爾（Chris McGuire）針對中國複製ASML的EUV（極紫外光）曝光機一事受訪指出，即便中國在實驗室層級取得部分進展，距離可長時間穩定運作、具備量產與商業可行性的 EUV 曝光機，仍存在數個世代的技術與良率落差。這意味著，即使「做得出來」，也未必「用得起、賣得動」。
麥奎爾任拜登政府白宮國安會官員、現為外交關係協會資深研究員。
他指出，近期市場熱議中國是否正在推動類似「曼哈頓計畫」等級的 EUV（極紫外光）曝光機研發，甚至認為一旦突破，將動搖全球半導體版圖。然而，從產業現實與投資角度來看，這類說法明顯高估了短期衝擊力。
麥奎爾強調，EUV 並非單一設備，而是由高能光源、多層反射鏡、真空系統與極高精度同步控制所構成的系統工程。即便中國在實驗室層級取得部分進展，距離可長時間穩定運作、具備量產與商業可行性的 EUV 光刻機，仍存在數個世代的技術與良率落差。
他進一步指出，出口管制的實際效果亦常被市場誤解。管制政策並非要完全阻斷中國技術發展，而是透過延長研發時程、提高成本與降低製程穩定度，來拉開與先行者的差距。對投資人而言，這代表中國半導體產業的風險不在於「突然追上」，而在於長期資本投入效率偏低、回報週期拉長。
在製程路線上，中國確實嘗試以 DUV 多重曝光、製程堆疊與晶片模組化（chIPlet）等方式，功能性逼近先進製程，但其代價是功耗上升、成本激增，商業競爭力明顯受限。這也解釋了為何相關產品多集中於政策導向或內需市場，而難以形成全球價格競爭力。
對 AI 與高效能運算市場而言，先進製程的關鍵價值在於能效比而非單純算力。成熟製程仍可支撐部分 AI 應用，但在大型模型訓練與資料中心場景中，落後一到兩代製程即意味著營運成本結構的系統性劣勢。
麥奎爾說，整體而言，中國在半導體設備與先進製程上的追趕將是一場十年以上的長期耐力賽，而非短期技術突襲。對全球投資布局來說，ASML、台積電等掌握 EUV 與先進製程整合能力的企業，其護城河短期內仍難以被實質撼動；真正需要留意的，反而是中國持續高額補貼對成熟製程與特定應用市場造成的結構性擾動。
