M31與台積電發布N6e平台超低功耗記憶體編譯器 加速AIoT創新

M31再度榮獲2025年台積公司 OIP年度合作夥伴特殊製程IP獎，M31總經理張原熏（左）出席頒獎典禮。（公司提供）

〔記者卓怡君／台北報導〕矽智財（IP）廠円星科技M31（6643）今日於2025台積電（2330）北美開放創新平台（OIP）生態系論壇宣布，延續先前在台積電N12e製程上成功驗證的低功耗IP解決方案，M31進一步擴展至N6e平台，推出全新超低漏電（ULL）、極低漏電（ELL）以及低電壓操作（LoW-VDD）記憶體編譯器。同時，M31再度榮獲2025年台積電OIP年度合作夥伴特殊製程IP獎，M31表示，此次為連續第8年獲得此殊榮，充分展現其在台積電OIP生態系中的卓越貢獻與緊密合作關係，再次印證M31在矽智財創新領域的領導地位。

M31總經理張原熏表示，M31與台積電長期以來的合作關係，是公司持續創新的重要基石。從N12e低功耗解決方案到最新的 N6e ULL、ELL 及 Low-VDD 記憶體編譯器，公司不斷推出領先業界的IP，協助 AIoT 與邊緣應用加速晶片設計的成功落地。展望未來，期待與台積電及OIP生態系夥伴深化合作，共同推動 AI 驅動技術的持續發展。

M31指出，基於台積電N6e先進製程開發的這系列記憶體編譯器，專為AI邊緣運算與物聯網（IoT）裝置打造，進行極致低功耗最佳化設計，並提供採用 LL、ULL 與 ELL SRAM bit cells 的客製化解決方案，協助智慧家庭、穿戴式裝置等應用在效能與功耗之間取得最佳平衡。

其中，N6e 製程ULL記憶體編譯器具備高密度、高效能的 SRAM 與 One Port Register File，並支援備援（Redundancy）、電源閘控（Power Gating）、掃描測試（Scan）、內建自我測試（BIST）MUX 以及 寬頻範圍 Dual-rail，能實現動態電壓與頻率調整（DVFS），並採用High Sigma設計方法，確保在嚴苛邊界條件下依然穩健運作。ELL 記憶體編譯器則進一步提升功耗效率，在深度睡眠模式（DEEP Sleep Mode）下可降低高達50% 功耗，滿足對能效與晶片面積要求嚴苛的設計需求，同時兼顧速度與彈性。

此外，低電壓（Low-VDD）記憶體編譯器可在僅 0.5V 的操作電壓下運行，大幅降低動態與漏電功耗。透過 ULL、ELL 與 Low-VDD 三大產品組合，M31為 N6e平台提供完整且高彈性的設計支持。