华尔街普遍看好：ASML产能激增，「记忆体峰值理论」可以告一段落

作者：华尔街日报

ASML发布的第二季财报远超预期，并大幅调高了全年业绩预期。同时，该公司也罕见地公布了2027年至2028年的产能扩张路线图，直接回应了市场对人工智慧驱动型需求永续性的担忧。华尔街主要投资银行迅速做出反应，高盛、摩根大通、巴克莱银行等一致维持或重申了对ASML的「买入」评级，认为ASML的业绩充分验证了人工智慧供应瓶颈理论，并有力地驳斥了关于内存价格将在2028年达到峰值的悲观论调。

ASML第二季营收为93亿欧元，超过彭博社先前预测的89亿欧元，毛利率为54%，远超过先前51%-52%的预期范围。随后，该公司将2026年全年营收预期从360亿至400亿欧元上调至430亿至450亿欧元，中位数较市场预期高出约11%；全年毛利率预期也上调至54%-56%。更重要的是，管理阶层明确表示，将在2027年和2028年将低数值孔径EUV和浸没式DUV产能扩大约30%，这直接导致市场对ASML 2028年获利预期大幅上调。

消息公布后，ASML在阿姆斯特丹的股价上涨约4%，纳斯达克100指数期货也上涨约40个基点。 SK海力士在首尔上市的股票单日飙涨8.8%，此前其美国存托凭证(ADR)曾上涨27%。高盛维持对SK海力士的「买入」评级，12个月目标价为2000欧元，这意味着较当前股价有约29%的上涨空间；摩根大通也维持对SK海力士的「增持」评级，目标价为1900欧元。

整体业绩超出预期，第三季业绩指引超出市场预期。

ASML第二季所有核心财务指标均超出市场预期。根据高盛的研究报告，第二季营收为93.27亿欧元，比市场普遍预期高出6%；EBITDA为34.56亿欧元，比市场普遍预期高出13%；每股收益为7.58欧元，比市场普遍预期高出约11%。毛利率高达54%，不仅远超过先前预期上限，也比市场普遍预期高出约230个基点。

第三季业绩指引也远超预期。该公司预计第三季营收将在110亿欧元至120亿欧元之间，中位数比市场普遍预期高出约11%；毛利率指引为55%-57%，这意味着第三季EBITDA将比市场普遍预期高出约26%。摩根大通的研究报告显示，第三季营收中位数为115亿欧元，比市场普遍预期高出12%；毛利率中位数为56%，比市场普遍预期高出350个基点。

摩根大通分析师Sandeep Deshpande 指出，部分超额收益是由IBM 的安装基础管理业务推动的，该业务的收入比预期高出约3 亿欧元。软体驱动的生产力提升以及EUV 服务安装基础的持续扩张预计将推动该业务今年增长超过30%，从而为毛利率提供额外支撑。

产能扩张路线图超出买方预期，2028年获利潜力被大幅重新评估

这次业绩发表会上最受关注的面向是管理阶层关于2027年至2028年产能扩张的明确声明。 ASML表示，其低数值孔径EUV微影机的产能将从2026年的约65台成长约30%，达到2027年的约85台，并正在研究2028年进一步成长30%，达到约110台。同时，浸没式DUV光刻机的产能也将从2026年的约130台增加到2027年的约169台，并在2028年进一步增加到约220台。

根据高盛的计算，该产能计划意味着低数值孔径EUV 出货量将在2027/2028 年达到85/110 台，远远超过市场普遍预期的85/89 台；浸没式DUV 出货量将达到169/220 台，也显著超过普遍的137/16137 台，也显著超过普遍的137/146137。

摩根大通指出，ASML 2028年的产能指引已超过该行先前最高的卖方预测。粗略估计，如果上述产能计画得以实现，ASML 2028年的每股盈余将超过65欧元，加上其已安装基础管理业务的强劲成长势头，实际利润可能更高。高盛交易部门也评论称，ASML 2028年EUV光刻机产能目标约为110台，已落入「超级乐观区间」（110至120台），远超卖方普遍预期的约89台。

高盛表示，ASML 已基本锁定2027 年所需的大部分EUV 订单，并已收到相当数量的2028 年订单，管理层称订单接收情况「非常强劲」。

人工智慧需求加速成长，逻辑和记忆体沿着双线扩展

管理层明确指出，人工智慧驱动的需求持续强劲，逻辑晶片和记忆体领域的需求不断增长，这将有助于客户进一步扩大先进制程节点的产能。在先进逻辑领域，ASML指出，客户正在同步提升5/4/3奈米节点的产能以满足人工智慧需求，同时积极推动2奈米制程的量产，并开始为向1.4奈米制程的过渡做准备。公司预计，到2026年，先进逻辑业务的收入将年增约25%。

在记忆体方面，ASML指出，DDR和HBM的供应紧张正促使客户加快投资步伐，而EUV和先进浸没式微影技术的普及进一步推高了设备需求。该公司预计，2026年记忆体营收将年增约75%。

高盛交易部门评论称，随着记忆体市场向HBM4/HBM5和传统伺服器DRAM所需的先进的1c/1d奈米节点过渡，记忆体制造正在经历一场根本性的范式转移。 1c DRAM中的EUV层数已增加到五层以上，而1d和0a代产品计划在所有层中全面采用EUV技术。深紫外线多重曝光制程已达到物理极限，这使得ASML成为这项结构性变革的主要受益者。

高盛进一步指出，HBM所需的晶圆强度远高于传统DRAM，这种双线扩张严重挤压了全球晶圆厂产能，导致记忆体价格在更长时间内居高不下。鉴于向先进制程节点过渡的结构性复杂性，预测记忆体价格将在2028年之前达到峰值或供应缺口将显著缓解的悲观论调「似乎为时过早」。

华尔街普遍认可，分歧仅在于2027年的业绩指引是否够积极。

几家主要投资银行在财报发布后迅速发布了积极的评估报告，但在2027 年EUV 产能指引的解读上存在一些细微的差异。

巴克莱分析师西蒙·科尔斯表示，ASML 提供了投资者预期的大部分内容，其对2027 年和2028 年低数值孔径EUV 产能的指导应该会减少市场对该公司是否受到供应限制的争议。他也指出，今年上半年低数值孔径EUV 的订单金额可能达到220 亿欧元，创历史新高。

摩根大通的Sandeep Deshpande 认为，尽管该公司在2027 年的EUV 产能没有达到90 台，但“我们认为这并不重要”，因为2028 年EUV 和DUV 产能的预期远远超出预期，而且2026 年约35% 的收入增长率占了目前两年内对晶圆增长率的增长。

摩根士丹利分析师李辛普森指出，尽管该公司不再披露订单数据，但管理层表示，今年上半年的订单量仍然“非常强劲”，客户正在寻求加快产能扩张，这表明2027 年的销售势头强劲。

杰富瑞分析师Janardan Menon 采取了相对谨慎的态度，他认为该公司的展望评论喜忧参半，其中已安装基础管理业务的销售额和毛利率的强劲增长尤其令人鼓舞，但2027 年EUV 的业绩指引低于近期大幅上升的市场预期。

Oddo BHF 预计市场普遍预期利润将上调约20%，并表示「ASML 仍然是技术主导地位无可匹敌的典范，现在正受益于人工智慧驱动的根本性不同的周期」。