Sản lượng thử nghiệm HBM3 của Changxin Storage dừng ở mức 25%

Theo Chosun Ilbo, nhà sản xuất DRAM lớn nhất Trung Quốc là Changxin Storage (CXMT) đã bắt đầu sản xuất thử nghiệm thế hệ bộ nhớ băng thông cao thứ tư HBM3, với tỷ lệ sản lượng ban đầu dừng ở mức 25%, bằng khoảng một phần ba so với tỷ lệ sản lượng vàng hàng loạt là 80%. SK Hynix đã sản xuất hàng loạt các sản phẩm tương tự từ năm 2022, với tỷ lệ sản lượng vượt quá 90%. Tỷ lệ sản lượng giai đoạn đầu của sản phẩm xếp chồng 8 lớp HBM3 của Changxin Storage là khoảng 30%, trong khi tỷ lệ sản lượng giai đoạn cuối là khoảng 70%, tạo ra sản phẩm tốt cuối cùng. Công ty cung cấp một số lượng nhỏ mẫu cho các công ty Trung Quốc như Pingtouge của Alibaba và Cambricon, đồng thời tiếp tục cải thiện tỷ lệ sản lượng. DRAM thông thường của họ sử dụng quy trình G4 (17nm) không có vấn đề lớn, nhưng các chip DRAM dùng cho HBM có diện tích lớn hơn và các thông số kỹ thuật điện nghiêm ngặt hơn. Ngành công nghiệp cho rằng nguyên nhân là do công nghệ xuyên silicon qua lỗ (TSV) chưa đủ trưởng thành. Phân tích của Nomad Semi cho thấy HBM2 của Samsung có hơn 5.000 TSV mỗi chip, HBM3 của SK Hynix có hơn 8.000, trong khi Changxin Storage có khoảng 3.000. Có khoảng cách 4 đến 5 năm so với Samsung và SK Hynix.