TSMC、2030年にASML製高NA EUVリソグラフィ装置で量産開始へ

9月8日、TSMCは2030年からオランダのASMLが製造する新型「高NA」極端紫外線（EUV）リソグラフィ装置を量産に採用すると発表した。両社はまた、高NA装置について業界全体での改良を行うと述べた。ASMLはナノスケールの超微細回路を形成するために使用されるEUVリソグラフィ装置の供給を独占しており、2023年12月からより微細な回路を描画できる高NA装置の出荷を開始する。インテルはすでに高NA装置を導入している一方、TSMCはこれまで高コストなどの理由から量産を延期していた。TSMCとASMLは、回路の原版となるフォトマスクを現在の6インチ（約15センチ）角から12インチ角に拡大し、大型マスクに対応する高NA装置と関連部品を開発する業界全体のプロジェクトを開始する。大型マスクのパイロット生産ラインは2031年までに設立される予定で、大型マスクに対応する高NA装置は2033年までに先端半導体生産に適した状態に達すると見込まれている。主要な半導体メーカーやマスク企業は参加に関心を示している。高NA装置はより微細な回路を描画できるが、1回の露光で描画できる面積は従来型の半分に減少するため、大規模なチップ回路には複数回の露光が必要となり、プロセスが複雑化しコストが増加する。フォトマスクを拡大することで露光面積を広げ、コストを削減できる。TSMCの魏哲家（C. C. Wei）会長兼CEOは、同社は業界全体の専門知識を結集し、先端技術を広く利用可能にする技術革新を継続的に推進し、その利点を伝えていくと述べた。