SK Hynix afirma que el desarrollo de DRAM 3D puede utilizar procesos de fundición

SK Hynix declaró el día 9 que el desarrollo de la memoria de próxima generación DRAM 3D puede utilizar procesos de fundición. El día anterior, en el Foro Futuro de SK Hynix 2026 celebrado en el Centro Supex del campus de Icheon, los vicepresidentes Kim Kyung-hoon y Son Ho-young presentaron las principales direcciones técnicas para la DRAM 3D, incluido el uso de procesos de fundición lógica para circuitos periféricos de DRAM, la maximización del ancho de banda del bus de datos y la transmisión de distancia ultracorta. La DRAM 3D es la DRAM de próxima generación que apila verticalmente las celdas de almacenamiento originalmente planas para mejorar la integración. Ambos afirmaron que lograr esta tecnología requiere abordar no solo problemas de diseño y disipación de calor, sino también desafíos en interconexiones finas, unión e integración de procesos en el campo del empaquetado. A medida que convergen los límites entre el empaquetado frontal y posterior, la fundición y la tecnología de memoria, la optimización colaborativa más allá de los campos existentes será más importante. Son Ho-young mencionó que la tecnología 3D está cambiando los límites tecnológicos entre las fábricas de obleas y el empaquetado, y es necesario establecer un sistema de optimización y nueva colaboración que trascienda los campos existentes junto con las innovaciones en tecnología de empaquetado avanzado. En una presentación relacionada, el profesor Shin Chang-hwan de la Universidad de Corea declaró que la DRAM 3D no se trata solo del apilamiento vertical de chips, sino también de una tecnología que rompe los límites entre memoria y lógica. A medida que la miniaturización de dispositivos se acerca a sus límites y aumenta el tiempo y el consumo de energía asociados con el movimiento de datos entre sistemas y memoria, el cambio a la tecnología 3D es inevitable. Propuso un marco de diseño integrado 3D que vincula materiales, dispositivos, empaquetado y arquitectura a través de la inteligencia artificial. El presidente de SK Hynix, Kwon Oh-joon, en su discurso, comentó que el mercado de memoria del pasado se asemejaba a un camino recto donde la competencia era sobre quién podía correr más rápido, pero ahora se asemeja a una curva en constante cambio, lo que hace importante comprender la velocidad y la dirección de los cambios ambientales externos y adaptarse de manera flexible además de las capacidades internas.